HiPIMS高功率脈沖磁控濺射電源被廣泛應用于各類PVD工藝，用來制備高端金屬裝飾膜,功能膜和類金剛石(DLC)膜層等。相較于中頻磁控濺射電源，HiPIMS有著離化率高，繞鍍性好，膜層致密性好，成膜色澤優(yōu)異等特點。HiPIMS最典型的應用包括對膜層致密性要求高的各類功能膜和硬質(zhì)膜，iPhone的玫瑰金手機殼，高端手表表殼等。
行業(yè)領先的精新HiPIMS電源作為可對標德國霍廷格(TRUMPF Hüttinger)同類型電源的產(chǎn)品，已為國內(nèi)十多家真空鍍膜客戶提供了優(yōu)質(zhì)服務，廣受好評。
精新電源提供國內(nèi)領先的多種規(guī)格的磁控濺射電源，包括中頻磁控濺射電源、非對稱脈沖磁控濺射電源等，可廣泛適用于各類離子鍍膜PVD工藝。
在最佳等離子體工作區(qū)域內(nèi)，精新磁控濺射電源的載荷能力（荷靶數(shù)量）是國內(nèi)同功率電源的3倍，國外同功率電源的1.5倍。可同時驅(qū)動三個單極磁控靶或者三對孿生磁控靶。
同時，精新磁控濺射電源擁有同行業(yè)首創(chuàng)的微分弧檢測，本質(zhì)弧抑制和四象限弧能量釋放管理技術，確保工件在沉積過程中免遭弧損傷。
精新電源有著十多年粒子加速器電源研發(fā)經(jīng)驗，多次成為多項國家大科學工程電源供應商。
曾參與的國家大科學工程項目包括正負電子對撞機（中科院高能物理研究所）、全國唯一一臺重離子加速器（中科院近代物理研究所）、第三代同步光源（中科院上海應用物理研究所）等。
精新高穩(wěn)定度直流電源長期穩(wěn)定度可達萬分之五(5x10^-4)。
偏壓電源在真空離子鍍膜工藝中對膜層質(zhì)量起著至關重要的作用，偏壓可顯著提升沉積速率、提升膜層與工件的結合力、增加膜層致密性。
精新偏壓電源可運行于等離子清洗、刻蝕和偏壓三種不同的功能模式，適用于等離子體薄膜沉積工藝中的不同流程。
同時，精新偏壓電源擁有同行業(yè)首創(chuàng)的微分弧檢測，本質(zhì)弧抑制和四象限弧能量釋放管理技術，確保工件在沉積過程中免遭弧損傷。
離子注入是現(xiàn)代半導體制備與微電子工藝中不可或缺的重要步驟。離子注入電源的好壞直接決定了最終成品的質(zhì)量。
精新電源依托十多年在國家大科學工程粒子加速器中積累的經(jīng)驗，沉淀出了數(shù)款不同規(guī)格的離子注入電源供工業(yè)級用戶選用，可完美適配市面上廣大的離子注入設備。
長久以來在PVD工藝中，因為無法對腔體內(nèi)的磁場進行動態(tài)控制，導致靶材的利用率比較低，鍍出的膜層也不夠均勻。
精新電源擁有國內(nèi)首創(chuàng)的磁場控制電源，包括三角波電源、磁場掃描電源等，可以靈活動態(tài)的在工藝過程中調(diào)整腔體內(nèi)的磁場，解決PVD工藝流程中遇到的各類磁場相關的問題。
多弧離子鍍是現(xiàn)代PVD工藝中最為成熟的工藝之一。
精新電源出產(chǎn)的等離子弧電源在傳統(tǒng)的弧電源基礎上，通過獨創(chuàng)的延面擊穿方式引弧，克服了傳統(tǒng)蒸發(fā)鍍工藝中需要使用鎢絲等材料引弧而對膜層造成污染等問題。
精新多弧離子鍍電源擁有同行業(yè)領先的電源效率，最高電源效率可達92.6%，大幅減少工藝的能源消耗成本。
離子束電源適用于各類特種金屬蒸發(fā)鍍工藝。其可以使特種金屬材料快速升溫，使其面狀蒸發(fā)，制備出的膜層潔凈均勻。
精新離子束電源提供多種波形與寬廣的功率域供用戶選擇，可適應多種不同的工藝與需求。
上海/蘇州精新匯能電源科技有限公司全面承接蘭州精新電源設備有限公司20+年的技術積累、產(chǎn)品研發(fā)和商業(yè)資源，是多個重大科研項目的唯一等離子電源供應商。公司先后承擔中科院近代物理所“重離子加速器”、中科院高能所“正負電子對撞機”、中科院應用物理所“第三代同步光源加速器”、中科院等離子所“托卡馬克”磁約束核聚變裝置等國家大科學工程。
公司擁有多個國家自主知識產(chǎn)權，聚焦工業(yè)和科研場景，已為數(shù)十個國內(nèi)頭部企業(yè)和科研單位提供數(shù)百臺材料表面處理電源。
公司核心團隊來自美國卡耐基梅隆大學、多倫多大學、華中科技大學、吉林大學和中科院等，擁有數(shù)十年國家科研單位使用的等離子體電源的研發(fā)經(jīng)驗。
*蘭州精新電源設備有限公司成立于1996年
